网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：
题目内容
（请给出正确答案）
在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。
- A、均匀性
- B、表面平整度
- C、自由应力
- D、纯净度
- E、电容
参考答案
更多 “在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。A、均匀性B、表面平整度C、自由应力D、纯净度E、电容” 相关考题
考题
薄膜包衣时，应注意的事项不包括下列哪项（ ）。A．包衣液应均匀喷雾在片心表面B．为掩盖片心颜色可包数层粉衣后再包薄膜衣C．待溶剂挥发干燥后再包下一层D．应注意防止结晶析出以免导致片面不平E．操作中有机溶剂要回收使用
考题
薄膜包衣操作的注意事项，不包括的是A.包衣溶液应均匀喷洒在片心表面B.待溶液挥发干燥后再包第二层C.注意防止结晶的析出致片面不平D.为掩盖片心颜色，可包数层粉衣后再包薄膜衣E.操作中有机溶剂要回收使用
考题
薄膜包衣时，应注意的事项不包括A、包衣液应均匀喷雾在片芯表面B、为掩盖片芯颜色可包数层粉衣后再包薄膜衣C、待溶剂挥发干燥后再包下一层D、注意防止结晶析出以免导致片面不平E、操作中有机溶剂要回收使用
考题
薄膜包衣时，应注意的事项不包括A.包衣液应均匀喷雾在片芯表面B.为掩盖片芯颜色可包数层粉衣后再包薄膜衣C.待溶剂挥发干燥后再包下一层D.注意防止结晶析出以免导致片面不平E.操作中有机溶剂要回收使用
考题
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
考题
薄膜包衣时，应注意的事项不包括下列哪项（）A、包衣液应均匀喷雾在片心表面B、为掩盖片心颜色可包数层粉衣后再包薄膜衣C、待溶剂挥发干燥后再包下一层D、应注意防止结晶析出以免导致片面不平E、操作中有机溶剂要回收使用
考题
交联聚乙烯绝缘电缆内半导体屏蔽层的作用是（）。A、线芯表面采用半导体屏蔽层可以均匀线芯表面不均匀电场的作用。B、防止了导体与绝缘层间接触。C、抑制电树或水树生长。D、通过半导体屏蔽层热阻的分温作用，使主绝缘温升下降，起到热屏蔽作用。
考题
均压电容检修关键工艺质量控制（）A、螺栓应对称均匀紧固，力矩符合产品技术规定，密封面的连接螺栓应涂防水胶B、外绝缘清洁、无破损，瓷件与金属法兰浇注面防水胶层完好，法兰排水孔畅通C、新均压电容的安装尺寸和技术参数与原均压电容保持一致D、触头表面完好，操作灵活、可靠，接触良好
考题
多选题影响等离子体蚀刻特性好坏的因素包括以下几个方面（）。A等离子体蚀刻系统的形态B等离子体蚀刻的参数C光刻胶D待蚀刻薄膜的淀积参数条件
热门标签
最新试卷