问答题化学气相淀积薄膜的生长过程是怎样的？

网友您好，请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容（请给出正确答案）

问答题

化学气相淀积薄膜的生长过程是怎样的？

参考答案

参考解析

解析：暂无解析

更多 “问答题化学气相淀积薄膜的生长过程是怎样的？” 相关考题

考题低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?

查看答案

考题制造半导体器件薄膜化学气相沉积装置 A．8486.3021 B．8486.2029 C．8486.2021 D．8486.3029

查看答案

考题热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？

查看答案

考题热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。

查看答案

考题对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。

查看答案

考题 CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？

查看答案

考题物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。

查看答案

考题（）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。A、蒸镀B、离子注入C、溅射D、沉积

查看答案

考题在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。A、使薄膜的介电常数变大B、可能引入杂质C、可能使薄膜层间短路D、使薄膜介电常数变小E、可能使薄膜厚度增加

查看答案

考题淋溶（eluviation）与淀积（illuviation）过程

查看答案

考题有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？

查看答案

考题薄膜光伏电池制备工艺中，等离子增强化学气相沉淀法的英文缩写是（）A、PVDB、LPVCDC、PEVCDD、LVCD

查看答案

考题名词解释题化学气相淀积

查看答案

考题问答题化学气相沉积装置的组成是怎样的？

查看答案

考题问答题化学气象淀积是什么？

查看答案

考题问答题简述化学气相淀积的概念？

查看答案

考题判断题在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，应该增大反应气体流量。A 对B 错

查看答案

考题单选题化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。 1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长； 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上； 3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应； 4.CVD SiO2，温度低。A 1、2B 2、4C 1、4D 1、2、4E 1、2、3、4

查看答案

考题判断题CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。A 对B 错

查看答案

考题问答题化学气相淀积（CVD）的概念，有哪五种基本化学反应？

查看答案

考题问答题生长氧化层和淀积氧化层间的区别是什么？

查看答案

考题单选题集成电路生产中，金属薄膜的沉积通常采用（）A 溅射物理气相沉积B 蒸发物理气相沉积C 等离子增强化学气相沉积D 低压化学气相沉积

查看答案

考题填空题缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。

查看答案

考题问答题薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢，因此常作为硅片定域KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜，而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率快。怎样才能用已淀积的PECVD氮化硅薄膜作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜？

查看答案