考题
低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?
考题
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
考题
假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
考题
热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
考题
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
考题
二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
考题
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。A、4～6hB、50min～2hC、10～40minD、5～10min
考题
通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。A、再分布B、等表面浓度扩散C、预淀积D、等总掺杂剂量扩散
考题
损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。A、能量淀积B、动量淀积C、能量振荡D、动量振荡
考题
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。A、1050～1200℃B、900～1050℃C、1100～1250℃D、1200～1350℃
考题
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。A、600～750℃B、900～1050℃C、1100～1250℃D、950～1100℃
考题
判断题在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，应该增大反应气体流量。A
对B
错
考题
问答题淀积层（illuvialhorizon）
考题
判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。A
对B
错
考题
判断题预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量，而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。A
对B
错
考题
问答题低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比，优点有？
考题
问答题为溅射做一个简短的解释，并描述它的工作方式？溅射适合于合金淀积吗？溅射淀积的优点是什么？
考题
判断题在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。A
对B
错