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低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比，优点有？

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考题 低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?
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考题 采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜？这层膜的优点是什么？
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考题 淋溶（eluviation）与淀积（illuviation）过程
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考题 在光纤的制备方法中，VAD法是指（）。A、外部化学气相沉积法B、轴向化学气相沉积法C、改进的化学气相沉积法D、等离子化学气相沉积法
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考题 问答题简述化学气相淀积的概念？
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考题 判断题在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，应该增大反应气体流量。A 对B 错
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考题 单选题集成电路生产中，金属薄膜的沉积通常采用（）A 溅射物理气相沉积B 蒸发物理气相沉积C 等离子增强化学气相沉积D 低压化学气相沉积
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考题 填空题缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。
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考题 名词解释题物理气相淀积（pvd）
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考题 问答题为溅射做一个简短的解释，并描述它的工作方式？溅射适合于合金淀积吗？溅射淀积的优点是什么？
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