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在刻蚀()过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气,能够提高刻蚀的速率。

  • A、铜
  • B、铝
  • C、金
  • D、二氧化硅

参考答案

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考题 微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种()。A、干法刻蚀、湿法刻蚀B、离子束刻蚀、激光刻蚀C、溅射加工、直写加工D、以上都可以

考题 为了避免()在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀,必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。A、多晶硅B、单晶硅C、铝硅铜合金D、铜

考题 单晶硅刻蚀一般采用()做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物。A、氮化硅B、二氧化硅C、光刻胶D、多晶硅

考题 ()是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。A、刻蚀速率B、刻蚀深度C、移除速率D、刻蚀时间

考题 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者()。A、二氧化硅氮化硅B、多晶硅硅化金属C、单晶硅多晶硅D、铝铜E、铝硅

考题 由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的,所以其()就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。A、刻蚀速率B、选择性C、各向同性D、各向异性

考题 刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,()是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度,并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A、选择性B、均匀性C、轮廓D、刻蚀图案

考题 硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于()A、体刻蚀加工对基体材料进行加工,而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工B、体刻蚀加工不对基体材料进行加工,而面刻蚀加工对衬底材料进行加工C、体刻蚀加工可获得高纵横比的结构,而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构

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