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1、什么叫扩散?在离子晶体中有几种可能的扩散机构?氧化物晶体中哪种扩散是主要的,为什么?


参考答案和解析
离子晶体的导电机制是电子电导
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考题 影响水在细胞内、外扩散的主要因素是()A、缓冲力B、扩散力C、静水压D、晶体渗透压

考题 一般晶体中的扩散为()。A、空位扩散B、间隙扩散C、易位扩散D、A和B

考题 试分析离子晶体中,阴离子扩散系数-般都小于阳离子扩散系数的原因。

考题 同一种物质在晶体中的扩散系数()在玻璃中的扩散系数。A、大于B、等于C、小于D、不确定

考题 什么叫晶体的热缺陷?有几种类型?写出其浓度表达式,晶体中离子电导分为哪几类?

考题 氟化镧晶体离子选择性电极膜电位的产生是由于()A、氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷形成双电层B、氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子C、氟离子穿透晶体膜使膜内外产生浓度差形成双电层D、氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散形成双电层

考题 工作在放大状态的晶体管,流过集电结的主要是()A、扩散电流B、漂移电流

考题 扩散硅式压力变送器的工作主要是基于()。A、硅晶体的压阻效应B、硅晶体的扩散效应C、硅晶体的应变效应D、硅晶体的半导体特性

考题 在晶体扩散模型中,()和()是最重要的两种扩散机制。

考题 在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响,主要是通过(),使得扩散系数增大。A、增加缺陷浓度B、使晶格发生畸变C、降低缺陷浓度D、A和B

考题 晶体中原子在表面、晶界、位错处的扩散速度比原子在晶内的扩散速度快,这种现象叫()。

考题 简述扩散的原因及晶体材料的扩散机制。

考题 离子电导微观机构:载流子-离子的扩散。离子扩散机构有()、()、()。

考题 填空题在晶体扩散模型中,()和()是最重要的两种扩散机制。

考题 名词解释题晶体中的扩散

考题 填空题晶体中五种扩散机制为()、()、()、()和(),其中()是离子晶体中最常见的扩散机制,其扩散活化能包括()和()。

考题 填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是()扩散和()扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。

考题 填空题晶体中原子在表面、晶界、位错处的扩散速度比原子在晶内的扩散速度快,这种现象叫()。

考题 问答题试分析离子晶体中,阴离子扩散系数-般都小于阳离子扩散系数的原因。

考题 单选题同一种物质在晶体中的扩散系数()在玻璃中的扩散系数。A 大于B 等于C 小于D 不确定

考题 单选题一般晶体中的扩散为()。A 空位扩散B 间隙扩散C 易位扩散D A和B

考题 单选题某晶体材料的扩散系数lnD与1/T关系曲线在不同温度区间出现了不同斜率的直线,这主要是由于()所致。A 扩散系数不同B 扩散活化能不同C 扩散机构改变D 扩散温度不同

考题 单选题氟化镧晶体离子选择性电极膜电位的产生是由于()A 氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷形成双电层B 氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子C 氟离子穿透晶体膜使膜内外产生浓度差形成双电层D 氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散形成双电层

考题 单选题一般情况下,离子晶体中,尺寸较大离子的扩散多是通过()机构进行的。A 间隙B 空位C 环易位D 直接易位

考题 判断题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种:间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。A 对B 错

考题 填空题离子在晶体中扩散是通过()的方式进行的。

考题 单选题扩散硅式压力变送器的工作主要是基于()。A 硅晶体的压阻效应B 硅晶体的扩散效应C 硅晶体的应变效应D 硅晶体的半导体特性

考题 单选题影响水在细胞内、外扩散的主要因素是()A 缓冲力B 扩散力C 静水压D 晶体渗透压