考题
晶体三极管由()PN结组成,分成基区、发射区和集电区。
A、一个B、两个C、三个D、四个
考题
晶体管的发射区的作用是向基区发射自由电子,集电区的作用是收集这些自由电子。()
此题为判断题(对，错)。
考题
晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()
考题
NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。
考题
晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。()
此题为判断题(对，错)。
考题
晶体管能够放大的内部条件是()。
A.两个背靠背的PN结B.自由电子与空穴都参与导电C.有三个掺杂浓度不同的区域D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大
考题
晶体管具备电流放大的内部条件是()。
A.基区薄而其杂质浓度低B.基区杂质浓度高C.降低发射区杂质浓度D.加强电子在基区的复合
考题
晶体管的内部结构分为三个区,即发射区、基区和集电区;两个结为发射和集电结。()
此题为判断题(对，错)。
考题
在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。A、基区B、集电区C、发射区D、饱和区
考题
三极管是有三层半导体材料组成的，有三个区域，中间的一层为（）A、基区B、栅区C、集电区D、发射区
考题
晶体管的内部结构分为三个区，即发射区、基区和集电区；两个结为发射和集电结。
考题
三极管是由三层半导体材料组成的。有三个区域，中间的一层为（）。A、基区B、栅区C、集电区D、发射区
考题
晶体管分为三层分别为（）A、发射区B、放大区C、集电区D、基区E、扩张区
考题
每一类晶体管都是由基区、发射区和（）三个不同的导电区域构成的。
考题
晶体管热噪声主要存在于（）电阻内。A、基区B、发射区C、集电区D、发射区和集电区
考题
晶体管具备电流放大的内部条件是（）。A、基区薄而其杂质浓度低B、基区杂质浓度高C、降低发射区杂质浓度D、加强电子在基区的复合
考题
三极管的三个工作区域是（）。A、饱和区B、反偏区C、放大区D、截止区E、发射区F、基区
考题
叙述晶体三极管电流的传输过程（）。A、发射区向基区注入载流子过程B、少数载流子，在基区扩散与复合过程C、集电区收集载流子的过程D、基区向发射区注入载流子过程
考题
造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。（）A、基区电导调制效应，发射区有偏压效应B、基区有偏压效应，发射区电导调制效应C、基区电导调制效应，基区有偏压效应D、发射区有偏压效应，基区有偏压效应
考题
无论是NPN型管还是PNP型管，它们内部均含有三个区，即发射区、基区和（）。
考题
晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。
考题
半导体三极管工作过程中（）。A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。
考题
三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。
考题
单选题晶体管是由单层半导体材料组成的。有三个区域，中间的一层为（）。A
基区B
栅区C
集电区D
发射区
考题
填空题在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（）于基区的禁带宽度，从而使异质结双极晶体管的（）大于同质结双极晶体管的。
考题
填空题每一类晶体管都是由基区、发射区和（）三个不同的导电区域构成的。
考题
填空题晶体管包含三个区：集电区，（）和发射区。