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一个CMOS器件由4个MOS器件构成，它可能是

A．NAND2

B．AND2

C．INV

D．BUFFER

参考答案和解析
NAND2;BUFFER
更多 “一个CMOS器件由4个MOS器件构成，它可能是A．NAND2B．AND2C．INVD．BUFFER” 相关考题
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考题 3.3V的TTL电平器件可以直接驱动5V的CMOS器件。( ) 此题为判断题(对，错)。
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考题 通信设备内部电路采用大量的半导体MOS、CMOS等器件,由于这类器件对静电的敏感范围为(),所以机房必须采取防静电措施。 A.25~10000VB.25~5000VC.25~1000VD.25~500V
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考题 晶体三极管和MOS管是同一个器件
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考题 以下元器件哪些是湿敏元器件？（）A、BGAB、排容C、电阻D、MOS管E、PCB
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考题 APU由哪些器件构成？
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考题 一号线地铁列车逆变器的IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电流型驱动器件。
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考题 当输出为TTL电平的串行或并行I/O器件与CMOS电路连接时，如果CMOS电路电源大于（）V，则必须在这两种器件之间采用电平转换器。
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考题 PON中的ODN位于ONU和OLT之间，ODN全部由无源器件构成，它具有无源分配功能
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考题 通信设备内部电路采用大量的半导体MOS、CMOS等器件，由于这类器件对静电的敏感范围为（），所以机房必须采取防静电措施。A、25~10000VB、25~5000VC、25~1000VD、25~500V
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考题 IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。
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考题 填空题半导体器件隔离的种类有：（）；（）和（）三种。P-N结隔离适合（）的器件。目前大多数CMOS器件采用（）隔离，绝缘介质场区氧化层采用（）工艺生长。
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考题 判断题一号线地铁列车逆变器的IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电流型驱动器件。A 对B 错
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考题 判断题Bi-CMOS工艺就是用标准的Bipolar工艺来制造MOS器件。A 对B 错
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考题 问答题MOS器件存在哪些二阶效应？
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考题 判断题在门电路器件中，“74”指该器件为TTL电路类型、“40”指该器件为CMOS电路类型。A 对B 错
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考题 判断题IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属电流型驱动器件。A 对B 错
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考题 问答题MOS器件的主要特性是什幺？
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考题 问答题什么是MOS器件的体效应？
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考题 判断题用来制造MOS器件最常用的是（100）面的硅片，这是因为（100）面的表面状态更有利于控制MOS器件开态和关态所要求的阈值电压。A 对B 错
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考题 问答题APU由哪些器件构成?
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考题 单选题通信设备内部电路采用大量的半导体MOS、CMOS等器件，由于这类器件对静电的敏感范围为（），所以机房必须采取防静电措施。A 25~10000VB 25~5000VC 25~1000VD 25~500V
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考题 问答题用MOS管作有源电阻，器件工作在什么状态？
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考题 填空题衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）
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考题 问答题MOS器件按比例缩小后对器件特性有什么影响？
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