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N沟道增强型场效晶体管，当栅源电压UGS ＞UGS（th）（开启电压)时，场效晶体管导通，产生漏极电流ID，随栅源电压UGS的变化ID随之变化。

参考答案和解析
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考题 场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
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考题 某场效晶体管,在漏、源电压保持不变的情况下,栅、源电压变化为2V时,相应的漏极电流变化为4mA,该管的跨导是()。 A、0.5mA/VB、1mA/VC、2mA/V
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考题 场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
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考题 增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
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考题 场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
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考题 某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。A、耗尽型管B、增强型管C、绝缘栅型D、无法确定
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考题 描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
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考题 场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）
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考题 对于绝缘栅场效应管，无论增强型还是耗尽型，只要是N沟道器件，UDS应为负值，衬底接最低电位，UGS越向正值方向增大，硒越小
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考题 绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制．A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
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考题 结型场效应管的UGS跟ID的关系，下述答案中正确的是（）A、UGS＝UP，ID＝0B、UGS＝0，ID＝0C、UGS＝UP，IP＝IDSSD、UGS＜UP，IP＝0
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考题 场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。
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考题 耗尽型场效应管在uGS=0时也会在漏、源极之间形成导电沟道。
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考题 结型场效应管的工作实质是通过改变UGS来控制沟道电阻的大小，从而实现UGS和ID的控制。
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考题 当uGS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。
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考题 使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的UGS（off）（）0，P沟道JFET的UGS（off）（）0。
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考题 当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。
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考题 FET工作在可变电阻区时，iD与uGS基本上是（）关系，所以在这个区域中，FET的d、s极间可以看成一个由uGS控制的（）。
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考题 场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
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考题 N沟道JFET的跨导gm是（）A、一个固定值B、随电源电压VDD增加而加大C、随静态栅源电压VGS增加而加大D、随静态栅源电压VGS增加而减小
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考题 场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。
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考题 场效应管在恒流区，iD主要由栅源电压uGS决定。
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考题 绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制的。A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
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考题 场效应晶体管的主要参数有（）A、开启电压B、低频跨导C、漏源击穿电压D、最大耗散功率E、最大漏极电流
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考题 利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。
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考题 单选题结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道电阻。A 反偏电压B 反向电流C 正偏电压D 正向电流
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考题 单选题某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。A 耗尽型管B 增强型管C 绝缘栅型D 无法确定
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考题 单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A 栅极电流B 栅源电压C 漏源电压D 栅漏电压
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