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判断题
在LPCVD中,由于hG>>kS,即质量转移系数远大于表面反应速率常数,所以,LPCVD系统中,淀积过程主要是表面反应速率控制
A
对
B
错
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解析:
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考题
对于某种薄膜的CVD过程,淀积温度为900℃,质量传输系数hG=10cms-1,表面反应速率系数ks=1×107exp(-1.9eV/kT)cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择(1)冷壁,石墨支座型;(2)热壁,堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
考题
单选题在低温结晶时,晶体成长速率主要受()控制。A
扩散过程B
表面反应过程C
传热过程D
三者共同
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