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化学气相淀积

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考题 低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?

考题 热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关?淀积速率的测量采用什么办法?

考题 热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化硅。

考题 CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么?它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率?

考题 物理气相淀积最基本的两种方法是什么?简述这两种方法制备薄膜的过程。

考题 二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。

考题 损伤的分布与注入离子在在靶内的()的分布密切相关。A、能量淀积B、动量淀积C、能量振荡D、动量振荡

考题 淀积粘化

考题 淀积黏粒胶膜

考题 腐殖质淀积层

考题 有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法?

考题 在光纤的制备方法中,VAD法是指()。A、外部化学气相沉积法B、轴向化学气相沉积法C、改进的化学气相沉积法D、等离子化学气相沉积法

考题 在下列化合物中,不能用于气相淀积的是()A、Al(C4H9)3B、Cr[C6H4CH(CH3)2]3C、Al(OC3H7)3D、BaCO3

考题 问答题化学气象淀积是什么?

考题 问答题简述化学气相淀积的概念?

考题 判断题在一个化学气相淀积工艺中,如果淀积速率是反应速率控制的,则为了显著增大淀积速率,应该增大反应气体流量。A 对B 错

考题 单选题化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较,下面哪些说法是正确的:()。  1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长; 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上,也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上; 3.CVD SiO2,衬底硅不参加反应; 4.CVD SiO2,温度低。A 1、2B 2、4C 1、4D 1、2、4E 1、2、3、4

考题 名词解释题预淀积

考题 问答题化学气相淀积(CVD)的概念,有哪五种基本化学反应?

考题 判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的,APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。A 对B 错

考题 填空题缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是()、()、高密度等离子体化学气相淀积和()。

考题 问答题物理气相淀积主要有哪三种技术?

考题 名词解释题灰化淀积物质

考题 填空题气相沉积法分为()和化学沉积法;化学沉积法按反应的能源可分为热能化学气相沉积、()。

考题 名词解释题物理气相淀积(pvd)

考题 问答题化学气相淀积薄膜的生长过程是怎样的?

考题 问答题低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?