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填空题
集成电路金属薄膜的沉积通常采用()
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考题
下述关于电解沉积和电解精炼的说法哪些是正确的?()A、电解沉积中金属离子在阳极上沉积形成致密金属;B、电解精炼中金属离子在阳极上沉积形成致密金属;C、电解精炼中金属离子在阴极上沉积形成致密金属;D、电解沉积中阳极一般是不溶阳极
考题
单选题在集成电路多层布线中,通常采用钨插销连接各层布线的最主要原因()A
钨的导电率比铝更低B
钨的刻蚀比铝更容易C
采用化学气相沉积法制备的钨具有更好的填孔能力D
钨与硅的接触性能更好
考题
填空题半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料()、()和化合物晶体材料()、();硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选();TTL集成电路衬底材料的晶向常选();常用的硅集成电路介电薄膜是()、();常用的IC互连线金属材料是()、()。
考题
问答题简述集成电路对薄膜的要求。
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