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半导体与绝缘体的能带差异在于前者的禁带宽度（）后者的禁带宽度。

A．＞

B．=

C．＜

D．不同于

参考答案和解析
半导体和绝缘体的能带结构相似,都只有满带和空带,不同在于价带和导带之间带隙(禁带)宽度的大小,绝缘体的禁带宽度△Eg通常在3-6 eV,而半导体的禁带宽度△Eg通常小于3eV。
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考题 禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。A、越不容易受B、越容易受C、基本不受
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考题 禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
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考题 氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。
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考题 与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是（）。A、导带也是空带B、满带与导带重合C、满带中总是有空穴，导带中总是有电子D、禁带宽度较窄
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考题 公差带是（）尺变动的（），公差带包括“公差带的大小”与“公差带位置”前者指公差带在零线垂直方向的宽度，用标准公差等级表示；后者指公差带相对于零线的位置，用基本偏差来确定公差带相对于零线的位置。
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考题 p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
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考题 孤立原子相互靠近时，为什么会发生能级分裂和形成能带？禁带的形成规律是什么？何为材料的能带结构？ 
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考题 单选题半导体中施主能级的位置位于（）。A 禁带B 满带C 导带D 价带
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考题 单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A 禁带B 价带C 导带D 满带
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