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MOS晶体管的 可以用来表征栅电压对其沟道电流的控制能力,其值越 ,则表示这种控制能力也越强。

A.电流放大系数,大

B.电流放大系数,小

C.跨导,小

D.跨导,大


参考答案和解析
正确
更多 “MOS晶体管的 可以用来表征栅电压对其沟道电流的控制能力,其值越 ,则表示这种控制能力也越强。A.电流放大系数,大B.电流放大系数,小C.跨导,小D.跨导,大” 相关考题
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考题 GTR的β值反映了基极电流对集电极电流的控制能力。()

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考题 单极型集成电路不包含().A、普通晶体管(NPN管或PNP管)B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS(即CMOS)

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考题 场效应管的类型有()。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管

考题 晶体管的穿透电流越小,则其热稳定性能越()。

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考题 晶体管的穿透电流越(),则其热稳定性能越()。

考题 交流放大电路中,晶体管一旦进入饱和或截止状态,IB对IC将()A、增强控制能力B、控制能力不变C、失去控制能力D、它们之间没有关系

考题 若耗尽型N沟道MOS管的ugs大于零,则其输入电阻会明显变小。

考题 场效应管从结构上可分为两大类:()、MOS;根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类;对于MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道,又可分为两种:耗尽型、()。

考题 乳化剂的HLB值越大,则表示其亲水性越强。

考题 场效应管跨导gm表示()对漏电流iD的控制能力的强弱。

考题 场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数,其值愈大,场效应管的控制能力愈强。

考题 跨导S在数值上等于阳极电压Ua为常数的条件下,栅极电压Ug微量变化所引起的阳极电流Ia的相应改变。()对阳极电流的控制能力越强。A、S越大,说明栅极电压B、S越大,说明栅极电流C、S越小,说明栅极电压D、S越小,说明栅极电流

考题 利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失,可以将MOS管作为开关器件使用。

考题 单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为()A P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B 增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管

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考题 判断题乳化剂的HLB值越大,则表示其亲水性越强。A 对B 错

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