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晶体三极管的发射区和集电区是由同一类型半导体构成的，所以e极和c极可以互换使用（）。

参考答案和解析
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考题 晶体三极管由()PN结组成,分成基区、发射区和集电区。 A、一个B、两个C、三个D、四个
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考题 三极管的发射区和集电区是同类型半导体,因此,发射极和集电极是可以互换使用的。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 晶体管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体(N型的或P型的)构成,故E极和C极可以互换使用。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的，故发射极和集电极可以互换使用。
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考题 PNP三极管工作特点是（）.A、发射区发射电子，集电区收集电子B、发射区发射空穴，集电区收集电子C、发射区发射电子，集电区收集空穴D、发射区发射空穴，集电区收集空穴
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考题 三极管的集电区、发射区用的是同一种杂质半导体，因此，可将三极管的集电极和发射极可以互换使用。
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考题 在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。A、基区B、集电区C、发射区D、饱和区
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考题 晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料（N型或P型）构成的，所发射极和集电极可以互换。
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考题 三极管是由三层半导体材料组成的。有三个区域，中间的一层为（）。A、基区B、栅区C、集电区D、发射区
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考题 晶体三极管它有三个区和三个引出电极，分别是（）。A、集电区（极）B、基区（极）C、控制区（极）D、发射区（极）
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考题 晶体三极管是由（）个PN结组成，分成基区、发射区、集电区.
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考题 下列关于晶体三极管说法证确的是（）。A、发射区与基区交界处的PN结为发射结B、基区与集电区交界处的PN结为发射结C、发射区与基区交界处的PN结为集电结D、发射区与集电区交界处的PN结为集电结
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考题 叙述晶体三极管电流的传输过程（）。A、发射区向基区注入载流子过程B、少数载流子，在基区扩散与复合过程C、集电区收集载流子的过程D、基区向发射区注入载流子过程
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考题 晶体三极管从结构上划分，有如下：（）。A、发射区B、基区C、集电区D、放大区
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考题 由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同，因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。
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考题 PNP型或NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（）。A、可以调换使用B、不可以调换使用C、PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用
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考题 结型场效管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出的，所以这两个电极可以互换使用。
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考题 半导体三极管用作开关元件时工作在哪两个区域（）A、饱和区和放大区B、放大区和截止区C、饱和区和截止区D、集电区和发射区
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考题 晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。
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考题 晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体（N型或P型）构成，所以发射极和集电极可以相互调换使用。
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考题 三极管最薄的区是（）。A、发射区B、集电区C、基区
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考题 晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。
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考题 晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电级电流。
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考题 三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。A、集中结B、集成结C、集电结D、集合结
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考题 三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。
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考题 三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射结和（）。A、集中结B、集成结C、集电结
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考题 单选题半导体三极管用作开关元件时工作在哪两个区域（）A 饱和区和放大区B 放大区和截止区C 饱和区和截止区D 集电区和发射区
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考题 填空题晶体三极管是由（）个PN结组成，分成基区、发射区、集电区.
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