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常见的化学气相淀积方法有
A.APCVD
B.LPCVD
C.PECVD
D.HDPCVD
参考答案和解析
APCVD;LPCVD;PECVD;HDPCVD
更多 “常见的化学气相淀积方法有A.APCVDB.LPCVDC.PECVDD.HDPCVD” 相关考题
考题
单选题化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较,下面哪些说法是正确的:()。 1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长; 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上,也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上; 3.CVD SiO2,衬底硅不参加反应; 4.CVD SiO2,温度低。A
1、2B
2、4C
1、4D
1、2、4E
1、2、3、4
考题
问答题低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?
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