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光刻时需要多片掩膜版，每一掩膜版的图形都需要进行

参考答案和解析
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考题 刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。A、二氧化硅B、氮化硅C、光刻胶D、去离子水
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考题 光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）A、刻制图形B、绘制图形C、制作图形
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考题 金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜，带胶蒸发或溅射所需的金属，然后在去除光致抗蚀剂膜的同时，把胶膜上的金属一起去除干净。（）
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考题 器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。A、掩膜版B、扩散C、光刻
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考题 光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）
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考题 在进行空间分析时，经常设置Mask（掩膜），设置掩膜的作用是什么？
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考题 （）不受版膜厚度影响A、印纹效果需要B、被印材质性质C、版纹分辨率D、印刷速度
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考题 完整印版应具备（）A、网布、版膜B、版框、网布C、版框、版膜D、版框、网布、版膜
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考题 掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1，如果对应的某存储单元位没有连接MOS管，则该位信息为（）。 A、不确定B、0C、1D、可能为0，也可能为1
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考题 80C51含（）掩膜ROM。
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考题 二元掩膜
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考题 填空题光化学腐蚀制备掩膜采用（）受到光照射而凝固，不受光的部分仍然为液态，这实质上是将化学加工常规制备掩膜时的（）和（）两道工序合二为一。
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考题 单选题若存贮器作为只读存贮器使用，但根据需要可以改写其中的信息，应选用的存贮器是（ ）A 掩膜ROMB PROMC EPROMD 动态RAM
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考题 判断题投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。A 对B 错
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考题 问答题解释亮场掩膜版和暗场掩膜版。
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考题 填空题光掩膜法（SBC）是（）（国家名）的Cubital公司研发成功的，可以不需要数控技术。
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考题 单选题掩膜型ROM可简记为（）。A PROMB MROMC EPROMD EEPROM
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考题 判断题电子束光刻主要用于制作掩膜。A 对B 错
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考题 判断题在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A 对B 错
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考题 判断题集成电路制造与集成电路设计相关纽带是光刻掩膜版。A 对B 错
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考题 名词解释题PSM移相掩膜
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考题 判断题光掩膜法成形原理上与光化学加工制备掩膜时原理类似，只是后者制备的掩膜较薄，而非立体零件。A 对B 错
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考题 问答题使用什么材料制作投影掩膜板，投影掩膜板上形成图形的不透明材料是什么？
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考题 判断题制备光刻掩膜版，希望黑白区域间的过渡区越大越好。A 对B 错
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考题 问答题描述投影掩膜版和光掩膜版的区别？
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考题 判断题光掩膜法中一次固化是一个截面，而光固化成形是逐点成面，因而光掩膜法成形效率比光固化成形高得多。A 对B 错
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考题 问答题掩膜版的对准法则，说明对准误差有哪些？
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考题 判断题对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。A 对B 错
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